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白皙由内而外,超频性不低的 Micron Ballistix Sport LT DDR4-3200 8GB x 2 16GB 双通道模组测试

编辑部这次收到的是 Ballistix Sport LT DDR4-3200 8GB x 2 16GB kit 双通道模组版本,颜色分类为白色,外包装依旧采用易拆卸的泡壳
▲编辑部这次收到的是 Ballistix Sport LT DDR4-3200 8GB x 2 16GB kit 双通道模组版本,颜色分类为白色,外包装依旧采用易拆卸的泡壳。

这组 Ballistix Sport LT 若要达到 DDR4-3200,需使用 XMP 方式开启,要求运作电压 1.35V
▲这组 Ballistix Sport LT 若要达到 DDR4-3200,需使用 XMP 方式开启,要求运作电压 1.35V。

Micron Ballistix Sport LT BLS2K8G4D32AESCK 规格

  • 内存:DDR4
  • 容量:8GB x 2
  • 规格尺寸:DIMM
  • 等效时脉:2400MHz、3200MHz(XMP 2.0)
  • 时序:16-16-16-39、16-18-18-36(XMP 2.0)
  • 电压:1.2V、1.35V(XMP 2.0)

维持 CL=16 时序

Micron Ballistix Sport LT 这次产品线更新主要是加入 DDR4-3200 运作速度规格,采用 XMP 方式套用相关超频数据,XMP 运作电压采用 1.35V,时序部分也没有什么变化,依旧维持在 16-18-18 规格。

容量选择性部分, 8GB 模组采用 8 颗 8Gb 内存颗粒组成 single rank,16GB 则是加倍为 16 颗 8Gb 组成 dual rank,16 GB dual rank 版本时序与 8GB 相同。产品共采用 8GB 模组、16GB 模组、数量、颜色等组合方式,推出单支版本、双通道套装、四通道套装,但台湾不会全数导入,依通路商贩售产品为准。

编辑部收到的送测品项为 DDR4-3200 8GB x 2 16GB kit 双通道模组,每条模组均有配上造型散热片,散热片黏贴高度大约比内存模组电路板高度 30mm 再增加个 1mm~2mm 左右,正好卡在尴尬的标准高度 1.23 寸,使用者可能需要稍微留心一下与处理器散热器的干涉问题。

内存模组造型左右相衬,规格与序号贴纸仅位于其中 1 面
▲内存模组造型左右相衬,规格与序号贴纸仅位于其中 1 面。

散热片中央贴纸采用数字迷彩背景,中央印制 Ballistix by Micron 字样,左侧标明此为 Sport 等级产品
▲散热片中央贴纸采用数字迷彩背景,中央印制 Ballistix by Micron 字样,左侧标明此为 Sport 等级产品。

模组其中一面左侧贴上安规与序号贴纸
▲模组其中一面左侧贴上安规与序号贴纸。

右侧则是模组型号与规格资讯,透过启用 XMP 设定档,电压 1.35V 稳定运作于等效时脉 3200MHz,时序为 16-18-18-38
▲右侧则是模组型号与规格资讯,透过启用 XMP 设定档,电压 1.35V 稳定运作于等效时脉 3200MHz,时序为 16-18-18-36。

原生 DDR4-2666 颗粒

卸除内存模组黏贴散热片,可以窥见所采用的内存颗粒 FBGA code 为 C9BJZ,透过 Micron Decoder 却找不到任何对应资讯。Thaiphoon Burner 读取 SPD 纪载型号为 D9VPP/ MT40A1G8SA-075:E,对照 Micron 资料表为原生速度为 DDR4-2666、时序 19-19-19。

根据 Thaiphoon Burner 的资料,E 版颗粒采用 19nm 制程制造,而我们先前评测的 Ballistix Tactical Tracer RGB 和 Ballistix Sport AT 则是 DDR4-2666 D 版 20nm,2 者体质是否有所差异,下一页实测即可揭晓;附带一提,上回评测 Micron Crucial DDR4-2666 原生模组则为 H 版 16nm。

卸下散热片,可以看见内存封装颗粒安排在电路板下缘,并以靠近资料汇流排针脚的方式分成 2 组
▲卸下散热片,可以看见内存封装颗粒安排在电路板下缘,并以靠近资料汇流排针脚的方式分成 2 组。

散热片内侧黏贴导热双面胶
▲散热片内侧黏贴导热双面胶。

内存模组电路板防焊漆采用白色,由内白到外
▲内存模组电路板防焊漆采用白色,由内白到外。

内存颗粒选用 C9BJZ,Micron Decoder 并没有相对应的型号资料
▲内存颗粒选用 C9BJZ,Micron Decoder 并没有相对应的型号资料。

透过 Thaiphoon Burner 读取 SPD 资讯,可得知内存颗粒型号为 MT40A1G8SA-075:E,为原生 DDR4-2666,并于 JEDEC 标准安排多个时序值,XMP 则仅有 1 个
▲透过 Thaiphoon Burner 读取 SPD 资讯,可得知内存颗粒型号为 MT40A1G8SA-075:E,为原生 DDR4-2666,并于 JEDEC 标准安排多个时序值,XMP 则仅有 1 个。

AMD、Intel 双平台适用

AMD Ryzen 系列处理器于多线程应用环境受到使用者喜爱,也是让 AMD 重新夺回市场版图的处理器产品,内存模组厂得重视市场需求,针对旗下内存模组测试其兼容性。这款 Ballistix Sport LT DDR4-3200 内存模组,官方宣传品已标上「Ryzen Ready」字样,能够于 Ryzen 系列处理器平台套用 XMP 设定值。

编辑部 Intel 与 AMD 平台,均可正常开启 Ballistix Sport LT DDR4-3200 内存模组的 XMP 设定值
▲编辑部 Intel 与 AMD 平台,均可正常开启 Ballistix Sport LT DDR4-3200 内存模组的 XMP 设定值。

Intel 测试平台处理器更新为 Core i9-9900K,主机板同步晋升使用 Asus ROG Maximus XI Extreme,AMD 平台照例使用 Ryzen 5 2400G 和 GIGABYTE GA-AB350N-Gaming WIFI。Intel 平台受到快取机制的影响,套用 XMP DDR4-3200 于内存频宽部分虽有上升,但处理器运算能力提升幅度并不大。

Intel 测试平台 JEDEC DDR4-2400 和 XMP DDR4-3200 的内存时序值
▲Intel 测试平台 JEDEC DDR4-2400 和 XMP DDR4-3200 的内存时序值。

Intel 平台开启 XMP DDR4-3200 前后 CPU-Z 测试差异在伯仲之间,DDR4-2400 赢了多线程,DDR4-3200 则是单线程性能较高
▲Intel 平台开启 XMP DDR4-3200 前后 CPU-Z 测试差异在伯仲之间,DDR4-2400 赢在多线程,DDR4-3200 则是单线程性能较高。

CINEBENCH R15 虽然均以 DDR4-3200 性能较高,但是 Intel 平台前后差距不足 0.5%
▲CINEBENCH R15 虽然均以 DDR4-3200 性能较高,但是 Intel 平台前后差距不足 0.5%。

以 AIDA64 量测这组内存 XMP 开启前后的频宽与延迟,DDR4-3200 频宽约略提升 27%~31%,延迟降低约 14%
▲以 AIDA64 量测这组内存 XMP 开启前后的频宽与延迟,DDR4-3200 频宽约略提升 27%~31%,延迟降低约 14%。

高时脉内存对于 Intel 平台的综合性能终究是有利的,DDR4-3200 于 PCMark 10 得分多出约 0.82%
▲高时脉内存对于 Intel 平台的综合性能终究是有利的,DDR4-3200 于 PCMark 10 得分多出约 0.82%。(点图放大)

AMD Ryzen 平台比较容易因内存运作时脉增加而得到较多的性能增进,主因为 AMD 想要减少资料跨过频率域所增加的延迟,将 Infinity Fabric 运作时脉与内存时脉挂钩;当内存时脉拉高,相当于提升 Infinity Fabric 交换、传输资料的速度,而 APU 所具有的 Radeon RX Vega 显示核心更需要大频宽内存,以便更快载入贴图等资料。

AMD 测试平台 JEDEC DDR4-2400 和 XMP DDR4-3200 的内存时序值
▲AMD 测试平台 JEDEC DDR4-2400 和 XMP DDR4-3200 的内存时序值。

内存时脉提升,AMD 平台 Ryzen 5 2400G 的 CPU-Z 多线程性能提升约 2.5%
▲内存时脉提升,AMD 平台 Ryzen 5 2400G 的 CPU-Z 多线程性能提升约 2.5%。

AMD 测试平台开启 XMP DDR4-3200 前后性能差距,CINEBENCH R15 单线程与多线程约提升 2% 左右
▲AMD 测试平台开启 XMP DDR4-3200 前后性能差距,CINEBENCH R15 单线程与多线程约提升 2% 左右。

使用 XMP DDR4-3200,AMD 平台 AIDA64 内存测试提升约 26%~31% 频宽,延迟约降低 22%
▲使用 XMP DDR4-3200,AMD 平台 AIDA64 内存测试提升约 26%~31% 频宽,延迟约降低 22%。

AMD 测试平台 PCMark 10 总分提升约 0.7%
▲AMD 测试平台 PCMark 10 总分提升约 0.7%。(点图放大)

笔者拿到这组内存之时,多少已从厂商与社群玩家之间听闻超频性优秀的传言,但最终还是要自己亲手实证。超频成功与否,笔者采用 MemTest86 完整通过 1 Pass 为依归,这组内存模组可在双通道模式设定,于 Intel 测试平台达成 DDR4-3733 16-18-18-36 2T 1.35V,AMD 平台则是 DDR4-3600 16-18-18-36 1T 1.35V。

内存超频成功与否,编辑部这边采用 MemTest86 完整通过 1 Pass 为原则
▲内存超频成功与否,编辑部这边采用 MemTest86 完整通过 1 Pass 为原则。

以超频结果而言,这款 Ballistix Sport LT DDR4-3200 8GB x 2 16GB 内存模组相当不错,无须提升电压或是放松时序,仅 AMD 平台在高频率时卡在 1T,于 UEFI 调整成 2T 依旧以 1T 运作,无法往上挑战。于此同时提醒读者,影响超频成功与否的因素相当多,请理性看待测试结果,未来厂商也有可能更换内部内存颗粒用料与设计。

Ballistix Sport LT DDR4-3200 8GB x 2 16GB 内存模组可于 Intel 平台超频至 DDR4-3733,时序、电压与 XMP 设定值相同,command rate 则调整成 2T。此时 AIDA64 读写频宽突破 50000MB/s
▲Ballistix Sport LT DDR4-3200 8GB x 2 16GB 内存模组可于 Intel 平台超频至 DDR4-3733,时序、电压与 XMP 设定值相同,command rate 则调整成 2T。此时 AIDA64 读写频宽突破 50000MB/s。

AMD 平台 command rate 卡在 1T 的关系,最高仅有 DDR4-3600,但时序、电压依旧与 XMP 值相同,AIDA64 读写同样突破 50000MB/s
▲AMD 平台 command rate 卡在 1T 的关系,最高仅有 DDR4-3600,但时序、电压依旧与 XMP 值相同,AIDA64 读写同样突破 50000MB/s。

让人玩心大起的模组

有了 XMP 这个方便的小东西,使用者想从内存方面获得性能更为容易,进入 BIOS/UEFI 介面动动手开启即可。相对而言,内存模组制造商从生产者手中购买颗粒之后,也会针对内存颗粒进行筛选,依据可稳定运作的时脉制成不同的超频模组贩售,因此市面上所贩售的内存模组,多数可于标示 XMP 时脉运作,再往上提升的速度就有限。

Ballistix Sport LT DDR4-3200 8GB x 2 16GB 内存模组则让人有时光回溯的感觉,藉由较低的贩售价格,获得更高的执行性能,玩家动手调整获得超频的乐趣,而非直接购买已经拣选过的超频模组。目前这组内存可于台湾通路以不到新台币 2,900 元购得,而 DDR4-3600 8GB x 2 超频模组贩售价格为新台币 6,000 元。当然,想购买的玩家建议早日入手,毕竟这批颗粒贩售完毕,并无法保证下一批是否还有相同体质。

Ballistix Sport LT DDR4-3200 8GB x 2 16GB 内存模组维持 Micron 过往的价格水准,却提供不错的超频性表现,因此获得编辑推荐
▲Ballistix Sport LT DDR4-3200 8GB x 2 16GB 内存模组维持 Micron 过往的价格水准,却提供不错的超频性表现,因此获得编辑推荐。

产品资讯

Micron Ballistix Sport LT DDR4-3200

延伸阅读

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  • Micron 电竞参一脚,可自行抽换与设计导光条 Ballistix Tactical Tracer RGB DDR4 内存模组

测试平台

  • Intel:
  • 处理器:Intel Core i9-9900K
  • 主机板:Asus ROG Maximus XI Extreme
  • 系统碟:Plextor M9Pe(G) 512GB
  • 电源供应器:Seasonic Platinum 1000W
  • 操作系统:Microsoft Windows 10 Pro 64bit 1803
  • AMD:
  • 处理器:Ryzen 5 2400G
  • 主机板:GIGABYTE GA-AB350N-Gaming WIFI
  • 系统碟:Plextor M9PeGN 512GB
  • 电源供应器:Seasonic Platinum 1000W
  • 操作系统:Microsoft Windows 10 Pro 64bit 1803
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